非挥发性存储器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种非挥发性存储器，其包括栅极结构以及源极/漏极区。栅极结构配置于基底上。栅极结构包括一对浮置栅极、穿隧介电层、控制栅极以及栅间介电层。浮置栅极配置于基底上。穿隧介电层配置于每一个浮置栅极与基底之间。控制栅极配置于此对浮置栅极之间的基底上，且覆盖每一个浮置栅极的顶面与至少侧壁。栅间介电层配置于控制栅极与每一个浮置栅极以及穿隧介电层之间，以及配置于控制栅极与基底之间。源极/漏极区配置于栅极结构二侧的基底中。因此增加了控制栅极所覆盖的浮置栅极的面积，进而提高了控制栅极与浮置栅极之间的耦合率。

主权项

一种非挥发性存储器的制作方法，其特征在于包括：于一基底上依序形成一第一介电层与一第一导体层；于该第一导体层、该第一介电层与该基底中形成一隔离结构，以于该基底的一行方向上定义多个条状导体层与多个条状介电层；移除部分该隔离结构，以暴露出每一该些条状导体层的至少部分侧壁；将每一该些条状导体层与每一该些条状介电层图案化，以形成多个栅极结构；于该基底上顺应性地形成一第二介电层；于该第二介电层上形成一第二导体层；将该第二导体层图案化，以形成多个第三导体层，其中每一该些第三导体层位于该行方向上的二个栅极结构之间的该第二介电层上，以及覆盖每一该些栅极结构至少一部份的侧壁；于该行方向上该些第三导体层之间的该基底中形成一源极/漏极区；以及于该些第三导体层之间形成一第三介电层。