EUV光源、EVU曝光装置、及半导体元件的制造方法

摘要

在已加热的贮槽(4)内，收纳有具有Sn的原子数％小于等于15％的组成的Sn-Ga系合金。将已用压力泵加压的Sn合金导入喷嘴(1)，并从设置在真空室7内的喷嘴(1)的前端喷出液态Sn合金。从喷嘴(1)所喷出的液态Sn合金因表面张力而形成为球形，而作为靶(2)。由配置在真空室(7)的外部的Nd:YAG激光源(8)产生的激光，在透镜(9)聚光并导入真空室(7)内。将被照射了激光的靶(2)等离子体化，并辐射包含EUV光的光。

主权项

一种EUV光源，将靶物质等离子体化，并将此时所放出的EUV光作为光源，其特征在于，上述靶为锡‑镓系合金，上述锡‑镓系合金的Sn的原子数％小于等于15％。