结构电容

摘要

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种结构电容。所述结构电容包括第一电极、第二电极、设置在所述第一电极和第二电极之间的介质层，所述介质层使用高介电常数的介质材料，所述介质材料是碳酸镁、氧化铝、二氧化硅、氧化钇、氧化钛混合后，经球磨、烘干、煅烧后冷却、造粒，得到的微米或亚微米级的超细粉体。所述结构电容通过在所述第一电极和第二电极之间设置高介电常数的介质层，使所述结构电容在不增加尺寸的情况下，提高电容量，有利于所述结构电容的集成化和小型化。

主权项

一种结构电容，包括第一电极和第二电极，其特征在于：所述结构电容还包括设置在所述第一电极和第二电极之间的介质层，所述介质层使用高介电常数的介质材料，所述介质材料是碳酸镁、氧化铝、二氧化硅、氧化钇、氧化钛混合后，经球磨、烘干、煅烧后冷却、造粒，得到的微米或亚微米级的超细粉体。