| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上形成场效应晶体管；在所述场效应晶体管的表面形成阻挡层；利用紫外线，照射所述阻挡层；在所述阻挡层的表面形成应力层；对所述场效应晶体管的有源区进行热退火；去除所述应力层；在所述场效应晶体管表面形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层的表面形成金属前介质层，在所述金属前介质层以及所述刻蚀阻挡层中制作接触孔，引出有源区互连线。本发明使用紫外线照射所述阻挡层，使得所述阻挡层的组织结构致密性，能够减少或防止有源区中的掺杂离子向外扩散，确保所述阻挡层能够具有较佳的绝缘性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102024760A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910195978.7 | 申请日期 | 2009.09.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王祯贞;周鸣 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上形成场效应晶体管；在所述场效应晶体管的表面形成阻挡层；利用紫外线，照射所述阻挡层；在所述阻挡层的表面形成应力层；对所述场效应晶体管的有源区进行热退火；去除所述应力层；在所述场效应晶体管表面形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层的表面形成金属前介质层，在所述金属前介质层以及所述刻蚀阻挡层中制作接触孔，引出有源区互连线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||