三维垂直互联结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种三维垂直互联结构及其制作方法。结构包括顺次堆叠或面对面堆叠在一起的至少两层芯片，各层所述芯片之间采用粘结材料粘结，各层所述芯片由下至上依次为衬底层和表面介质层，所述芯片的上表面具有横截面为环形的第一凹坑，所述第一凹坑内填充有金属形成第一导电环，所述第一导电环通过重新布局布线层与所述芯片内部的微电子器件连接，与所述第一导电环内径相同且圆心一致的第一通孔贯穿所述堆叠的芯片，所述第一通孔内具有第一微型导电柱。本发明的三维垂直互联结构提高了微电子器件制作中三维互联叠层间电互联和粘合强度，提高了成品率。

主权项

一种三维垂直互联结构，其特征在于，包括顺次堆叠或面对面堆叠在一起的至少两层芯片，各层所述芯片之间采用粘结材料粘结，各层所述芯片由下至上依次为衬底层和表面介质层，所述芯片的上表面具有横截面为环形的第一凹坑，所述第一凹坑内填充有金属形成第一导电环，所述第一导电环通过重新布局布线层与所述芯片内部的微电子器件连接，与所述第一导电环形状相同且中心一致的第一通孔贯穿所述堆叠的芯片，所述第一通孔内具有第一微型导电柱。