| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：在一硅基底上定义一掩模，该掩模包括多个穿过其中的纳米尺寸开口；在定义该掩模之后，在该硅基底穿过所述多个掩模开口而露出的表面部分建造实质上无缺陷的非硅半导体纳米岛；在建造所述多个纳米岛之后，在所述多个纳米岛上沉积高介电常数栅极电介质；以及在沉积该高介电常数栅极电介质之后，在所述多个纳米岛上架构晶体管。本发明的结构有益于热能的移除并有良好的平坦度，且相容于目前22纳米节点或低于22纳米节点的CMOS制造需求。 | ||
| 申请公布号 | CN102024759A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN201010004651.X | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 麦西亚斯·派斯雷克 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在一硅基底上定义一掩模，该掩模包括多个穿过其中的纳米尺寸开口；在定义该掩模之后，在该硅基底穿过所述多个掩模开口而露出的表面部分建造实质上无缺陷的非硅半导体纳米岛；在建造所述多个纳米岛之后，在所述多个纳米岛上沉积高介电常数栅极电介质；以及在沉积该高介电常数栅极电介质之后，在所述多个纳米岛上架构晶体管。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||