| 发明名称 | 氧化硅膜的形成方法、氧化硅膜、半导体器件、以及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 将硅化合物气体、氧化气体、以及稀有气体供应至等离子体处理设备(1)的腔(2)内。将微波供应至腔(2)内，并利用由微波产生的等离子体在目标衬底上形成氧化硅膜。稀有气体的分压比率是硅化合物气体、氧化气体和稀有气体的总气体压力的10％或更小，并且硅化合物气体和氧化气体的有效流率(氧化气体/硅化合物气体)不小与3但不大于11。 | ||
| 申请公布号 | CN102027580A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200980117522.7 | 申请日期 | 2009.05.11 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 上田博一;田中义伸;大泽佑介;野沢俊久;松冈孝明 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 王安武 |
| 主权项 | 一种氧化硅膜的膜形成方法，包括：将包含硅化合物气体、氧化气体和稀有气体的处理气体供应至等离子体处理腔的步骤，其中所述稀有气体的分压比率是所述硅化合物气体、所述氧化气体和所述稀有气体的总气体压力的10％或更大，并且所述硅化合物气体和所述氧化气体的有效流率(氧化气体/硅化合物气体)不小于3但不大于11；将微波供应至所述等离子体处理腔内的步骤；以及利用通过所述微波产生的等离子体来在目标衬底上形成氧化硅膜的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||