| 发明名称 | 用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底 | ||
| 摘要 | 一种III-V族氮化物例如GaN衬底，包括以从约0.2至约10度范围内的切割角，从主要朝向<1010＞方向或<1120>方向的<0001>方向切割的(0001)表面。该表面具有通过50×50μm2 AFM扫描仪测量的小于1nm的RMS粗糙度和小于3E6cm-2的位错密度。通过相应的晶棒或晶片白片的切割划片，通过例如切割蓝宝石的相应的连位异质外延衬底上的衬底本体的切割研磨或生长，形成该衬底。在制造III-V族氮化物基的微电子和光电子器件中，该衬底有利地用于同质外延淀积。 | ||
| 申请公布号 | CN1894093B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200480037136.4 | 申请日期 | 2004.11.12 |
| 申请人 | 克利公司 | 发明人 | 罗伯特·P·沃多;徐学平;杰弗里·S·弗林;乔治·R·布兰德斯 |
| 分类号 | B32B9/00(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L21/46(2006.01)I | 主分类号 | B32B9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种GaN衬底，包括以2.5至10度范围内的切割角，从主要朝向从由<img file="FA20182426200480037136401C00011.GIF" wi="169" he="49" />和<img file="FA20182426200480037136401C00012.GIF" wi="168" he="49" />方向组成的组中选出的方向的<0001>方向切割的GaN(0001)表面，其中所述表面具有通过50×50μm<sup>2</sup>AFM扫描仪测量的小于1nm的RMS粗糙度和小于3E6cm<sup>-2</sup>的位错密度。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||