| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供如下技术方案：从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，然后从玻璃衬底剥离该元件，并将其转置到柔性衬底上。 | ||
| 申请公布号 | CN101064247B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200710100936.1 | 申请日期 | 2007.04.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 丸山纯矢;神保安弘;小路博信;桑原秀明;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成钼膜；在所述钼膜上形成氧化钼膜；通过印刷法在所述氧化钼膜上且与所述氧化钼膜接触地形成导电层；烘烤所述导电层；覆盖所述导电层地形成绝缘膜；从所述衬底分离所述绝缘膜及所述导电层；以及在所述分离之后，将所述绝缘膜及所述导电层配置到柔性衬底上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||