发明名称 电子装置、显示装置、图像显示系统及其制造方法
摘要 本发明揭示一种图像显示系统,包括薄膜晶体管(TFT)装置,其具有第一及第二有源层,分别设置于驱动电路区及像素区的基底上。第一及第二有源层各包括沟道区、源极/漏极区、及形成于其间的轻掺杂区。两栅极结构分别设置于第一及第二有源层上。每一栅极结构包括堆迭的第一及第二栅极介电层及具有一栅极长度的栅极层,第二栅极介电层具有一长度小于第一栅极介电层而大于栅极层的栅极长度。第一有源层的轻掺杂区具有一有效长度不同于第二有源层的轻掺杂区。
申请公布号 CN101110429B 申请公布日期 2011.04.20
申请号 CN200710129950.4 申请日期 2007.07.20
申请人 奇美电子股份有限公司 发明人 森本佳宏;李浔裕
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 许向华;彭久云
主权项 一种图像显示系统,包括:薄膜晶体管装置,包括:基底,具有驱动电路区及像素区;第一及第二有源层,分别设置于该驱动电路区及该像素区的该基底上,其中该第一及该第二有源层各包括沟道区、源极/漏极区、及形成于其间的轻掺杂区;以及两栅极结构,分别设置于该第一及该第二有源层上,其中每一栅极结构包括堆迭的第一及第二栅极介电层及具有一栅极长度L3的栅极层,该第二栅极介电层具有一长度小于该第一栅极介电层而大于该栅极层的该栅极长度;其中该第一有源层的该轻掺杂区的长度D1不同该第二有源层的该轻掺杂区的长度D2,其中驱动电路区的D1+L3+D1不等于像素区的D2+L3+D2。
地址 中国台湾苗栗县
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