一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法

摘要

本发明公开了一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法，属于纳米图案加工技术领域。所述方法包括：将硅衬底表面进行处理，并在硅衬底上涂覆电子束光刻抗蚀剂；将涂覆有电子束光刻抗蚀剂的硅衬底进行烘烤；对烘烤后的硅衬底进行单线曝光模式下的电子束直写曝光；对电子束直写曝光后的硅衬底进行显影、定影、干燥及退火处理，并在处理后的硅衬底表面覆盖金属薄膜，形成扫描电镜放大倍率校准标准样品。本发明避免了等离子体刻蚀工艺带来的图形质量下降，有利于高分辨率密集线图形结构的制作，有利于电子束曝光极限分辨率的实现。

主权项

一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1：将硅衬底表面进行处理，并在所述硅衬底上涂覆电子束光刻抗蚀剂；步骤2：将涂覆有所述电子束光刻抗蚀剂的所述硅衬底进行烘烤；步骤3：对烘烤后的所述硅衬底进行单线曝光模式下的电子束直写曝光；步骤4：对电子束直写曝光后的所述硅衬底进行显影、定影、干燥及退火处理，并在处理后的硅衬底表面覆盖金属薄膜，形成扫描电镜放大倍率校准标准样品。