| 发明名称 | 改进半导体器件负偏压温度不稳定性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改进半导体器件负偏压温度不稳定性的方法，所述方法包括以下步骤：a)在衬底中形成N阱，在N阱和浅沟槽隔离区上形成一栅氧化层，在栅氧化层上沉积一层掺杂多晶硅；b)进行P型预掺杂；c)分别刻蚀多晶硅以及栅氧化层以形成栅极结构于N阱上；d)进行P型轻掺杂漏工艺以注入形成P-LDD区；e)在包含多晶硅以及栅氧化层的栅极结构上形成一氧化层，蚀刻所述氧化层以在栅极侧壁上形成侧壁氧化层；f)通过P型掺杂注入形成P+型源/漏极(P+ S/D)；其中在所述步骤b)、d)和f)其中任一或多个步骤之后注入氟。根据本发明的方法，有效地改善了半导体器件的NBTI特性，延长了器件的工作寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN102024702A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910195495.7 | 申请日期 | 2009.09.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 郑凯;甘正浩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种改进半导体器件负偏压温度不稳定性的方法，所述方法包括以下步骤：a)在衬底中形成N阱，在N阱和浅沟槽隔离区上形成一栅氧化层，在栅氧化层上沉积一层掺杂多晶硅；b)进行P型预掺杂；c)分别刻蚀多晶硅以及栅氧化层以形成栅极结构于N阱上；d)进行P型轻掺杂漏工艺以注入形成P‑LDD区；e)在包含多晶硅以及栅氧化层的栅极结构上形成一氧化层，蚀刻所述氧化层以在栅极侧壁上形成侧壁氧化层；f)通过P型掺杂注入形成P+型源/漏极(P+ S/D)；其特征在在于，在所述步骤b)、d)和f)其中任一或多个步骤之后注入氟。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||