具有用于编程、验证和读取的参考电压电平的适应性设置的非易失性多电平存储器

摘要

使用为非易失性存储器器件和/或该器件的部分、诸如各块或各字线的非易失性存储元件定制的电压来存取该器件。该存取可以包括编程、验证或读取。通过定制电压，可以最优化(Vpgtn，Vv)性能，包括克服由编程干扰引起的阈值电压的改变。在一种方法中，用随机测试数据对存储器器件中的不同组的存储元件编程。为不同组的存储元件确定阈值电压分布。基于阈值电压分布来确定一组电压(Vpgtn，Vv)，并将其存储在非易失性存储位置中用于随后在存取不同组的存储元件时使用。可以在制造时确定该组电压用于随后在终端用户存取数据时使用。

主权项

一种用于配置存储器器件的方法，包括：测量对于存储器器件中的各个组的非易失性存储元件(1205)的各个阈值电压分布，所述非易失性存储元件是多电平存储元件；基于相应的阈值电压分布确定对于每个相应组的非易失性存储元件的相应组的电压(VPGM‑i，VV1‑i)，该相应组的电压被定制用于所述相应组的非易失性存储元件；将每组电压存储在非易失性存储位置(1354)中；以及在存储之后，从所述非易失性存储位置获取各个组的电压中的至少一组，并使用各个组的电压中的该至少一组来进行涉及各个组的非易失性存储元件中的至少一组的写操作。