金属氧化物半导体器件及其制造方法

摘要

本发明揭露了一种金属氧化物半导体器件及其制造方法，于传统的袋形(pocket)注入工艺中，增加碳离子注入过程，从而抑制了半导体器件于制造过程中的瞬态增强扩散效应，进而获得较小的结电容与结漏电流，并有效的抑制短沟道效应，提高了器件性能。该金属氧化物半导体器件包括半导体衬底与形成于其上的栅极结构，其中栅极结构两侧的半导体衬底中具有相对的源掺杂区域与漏掺杂区域，且源掺杂区域与漏掺杂区域相对的边缘处具有袋状掺杂区，且该袋状掺杂区包括碳杂质以及P型杂质或N型杂质。

主权项

一种金属氧化物半导体(MOS)器件的制造方法，其特征是，包括：于半导体衬底上制造栅极结构；进行轻掺杂源漏极离子注入，以于半导体衬底中形成源极延伸掺杂区和漏极延伸掺杂区；利用碳掺杂离子以及P型掺杂离子或N型掺杂离子进行袋形注入，以于半导体衬底中形成包括碳杂质以及P型杂质或N型杂质的袋状掺杂区；进行退火处理；进行源漏极离子注入以及退火处理，以于半导体衬底中形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区。