| 发明名称 |
METHOD FOR OBTAINING HIGH-QUALITY BOUNDARY FOR SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED ON A PARTITIONED SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP2140504(B1) |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
| 申请号 |
EP20080748460 |
申请日期 |
2008.05.06 |
| 申请人 |
LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION |
发明人 |
WANG, LI;JIANG, FENGYI |
| 分类号 |
H01L33/00;H01L21/20;H01L21/301;H01L21/306;H01L27/15 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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