| 发明名称 | MOS器件的检测方法及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MOS器件的检测方法和MOS器件的制造方法，该检测方法包括步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅氧层和栅导电层；对所述栅导电层进行刻蚀，形成至少两个间隔排列的栅极；利用光学关键尺寸测量方法对具有所述栅极的半导体衬底进行测量，得到栅极与栅极间隔处的半导体衬底的高度差；根据所述栅极与栅极间隔处的半导体衬底的高度差和栅极的高度，得到栅极间隔处半导体衬底的凹陷深度。本发明通过提供一种简便的检测MOS器件源极区和漏极区的硅层凹陷深度的方法，降低MOS器件的生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102024726A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910196204.6 | 申请日期 | 2009.09.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;俎永熙;黄怡;李国锋 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G01B11/02(2006.01)I;G01B11/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种MOS器件的检测方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅氧层和栅导电层；对所述栅导电层进行刻蚀，形成至少两个间隔排列的栅极；利用光学关键尺寸测量方法对具有所述栅极的半导体衬底进行测量，得到栅极与栅极间隔处的半导体衬底的高度差；根据所述栅极与栅极间隔处的半导体衬底的高度差和栅极的高度，得到栅极间隔处半导体衬底的第一凹陷深度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||