| 发明名称 | 磁存储器件 | ||
| 摘要 | 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102024903A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN201010282801.3 | 申请日期 | 2010.09.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 吴世忠;李将银;李济珩;金佑填;林佑昶;郑峻昊;崔锡宪 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 刘光明;穆德骏 |
| 主权项 | 一种磁存储器件，包括：第一垂直磁性层；所述第一垂直磁性层上的非磁性层；所述非磁性层上的第一结磁性层，其中，所述非磁性层在所述第一垂直磁性层和所述第一结磁性层之间；所述第一结磁性层上的隧道势垒，其中，所述第一结磁性层在所述非磁性层和所述隧道势垒之间；所述隧道势垒上的第二结磁性层，其中，所述隧道势垒在所述第一结磁性层和所述第二结磁性层之间；以及所述第二结磁性层上的第二垂直磁性层，其中，所述第二结磁性层在所述隧道势垒和所述第二垂直磁性层之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||