发明名称 |
在离子束引出后改善束流流强分布的系统和方法 |
摘要 |
一种在离子束引出后改善束流流强分布的系统和方法,在束流引出系统和质量分析磁铁之间的束流路径的顶部与底部添加正偏压导电板,该正偏压导电板会产生电场,使部分束流压向中部,偏置电压可以调制束流强度,从而使束流强度增加,补偿了质量分析磁铁引起的束流损失,同时利用角度控制器来单独修正由于正偏压板导致的一些非线性角度变化。本发明可以减少分析磁铁入口所造成的束流损失,使通过分析磁铁的束流大大提升,获得了较高的束流传输效率,在调整束流均匀度分布时,也能更方便的优化束流的密度分布。 |
申请公布号 |
CN102024656A |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
申请号 |
CN200910195845.X |
申请日期 |
2009.09.17 |
申请人 |
上海凯世通半导体有限公司 |
发明人 |
陈炯 |
分类号 |
H01J37/04(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
姜玉芳 |
主权项 |
一种在离子束引出后改善束流流强分布的系统,包含:离子源,产生离子束流;束流引出系统(101),通过发散的引出电极来获得发散的离子束流;质量分析磁铁(102),用于选择所需能量的离子束;束流均匀度控制器(1031),用于调整束流在纵向的密度分布;校准器(1032),终止束流的发散趋势,并使束流变为平行传播,控制束流在晶圆上的注入角度;设置在接近目标晶圆处的束流诊断设备,该束流诊断设备穿过离子束流的较长的横截面尺寸进行扫描,从而来测量束流与注入相关的各项参数,并将测量数据反馈给束流均匀度控制器;其特征在于,所述的在离子束引出后改善束流流强分布的系统还包含两个正偏压导电板(104),所述的导电板(104)添加设置在束流引出系统和质量分析磁铁之间的束流路径的顶部与底部,从而来减少质量分析磁铁引起的束流损失。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技园区牛顿路200号7号楼单元1 |