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Es werden eine hermetisch abdichtende Kappe (10), ein Aufnahmegehäuse mit der hermetisch abdichtenden Kappe (10) und ein Verfahren zur Herstellung des Aufnahmegehäuses bereitgestellt. Durch die hermetisch abdichtende Kappe (10) wird eine Verbrauchsmenge an Au in einem Lötmaterial zum Abdichten des Aufnahmegehäuses für eine elektronische Komponente verringert. Die hermetisch abdichtende Kappe (10) wird für das Aufnahmegehäuse für eine elektronische Komponente verwendet, das ein Elektronikkomponenten-Aufnahmeelement zum Aufnehmen einer elektronischen Komponente enthält. Die hermetisch abdichtende Kappe (10) besteht aus einer Basis (1), einer Ni-haltigen Unterschicht (2), die auf der Oberfläche der Basis (1) ausgebildet ist, und einer Hartlöt-Zusatzmetallschicht (6), die auf der Ni-haltigen Unterschicht (2) ausgebildet ist, eine Dicke von 10 µm oder weniger aufweist und aus Au und Sn besteht. Der prozentuale Au-Gehalt in der Hartlöt-Zusatzmetallschicht (6) beträgt 43 Masse-% oder mehr, aber maximal 64 Masse-%. |
