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发明名称
IMPURITY IMPLANTATION METHOD AND ION IMPLANTATION APPARATUS
摘要
An impurity is implanted by ion implantation into an object to be processed. The ion implantation is performed using an ion beam which is diverged after being temporarily converged.
申请公布号
US2011086500(A1)
申请公布日期
2011.04.14
申请号
US20100842616
申请日期
2010.07.23
申请人
YONEDA KENJI;KUBO HIROKO
发明人
YONEDA KENJI;KUBO HIROKO
分类号
H01L21/266;G21K1/08
主分类号
H01L21/266
代理机构
代理人
主权项
地址
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