| 发明名称 | 具有电荷耗散层的下栅场发射三极管 | ||
| 摘要 | 下栅场发射三极管装置和其中所用的阴极组合件包含电荷耗散层(6，11)，该电荷耗散层可定位在阴极电极(6.4)、(6.5)、和/或电子场发射器(6.6)的下方或上方。 | ||
| 申请公布号 | CN102017051A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200880109678.6 | 申请日期 | 2008.10.03 |
| 申请人 | 纳幕尔杜邦公司 | 发明人 | A·芬尼莫尔;L·-T·A·程 |
| 分类号 | H01J29/86(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I | 主分类号 | H01J29/86(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 段晓玲;李连涛 |
| 主权项 | 场发射三极管装置，所述装置包括(a)阴极组合件，所述阴极组合件包括(i)基板、(ii)设置在所述基板上的导电栅电极、(iii)设置在所述栅电极上的绝缘层、(iv)设置在所述绝缘层上的具有介于约1×1010和约1×1014Ω/平方之间的薄层电阻的电荷耗散层、(v)设置在所述电荷耗散层上的阴极电极、和(vi)接触所述阴极电极的电子场发射器；和(b)阳极。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||