| 发明名称 | 电子器件及使用溶液处理技术制造电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 制造电子器件的方法，该方法包括：提供包含电路元件的基底(801)；在该基底(801)上形成双岸阱限定结构，该双岸阱限定结构包含绝缘材料的第一层(800)和位于其上的绝缘材料的第二层(804)；并将有机材料的溶液沉积在该双岸阱限定结构所限定的阱中。该双岸阱限定结构通过在用于形成阱的单一处理步骤中从第一层和第二层(800，804)去除材料而形成。该第一层(800)由比第二层(804)的材料去除速度快的材料制成，以形成外伸台阶结构，其中该第二层(804)突出到该第一层(800)的边缘之外。 | ||
| 申请公布号 | CN102017158A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200980114569.8 | 申请日期 | 2009.03.13 |
| 申请人 | 剑桥显示技术有限公司;松下电器产业株式会社 | 发明人 | J·J·乔治;B·维尔德;H·吉田;K·奥本 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 柳冀 |
| 主权项 | 制造电子器件的方法，该方法包括：提供包含电路元件的基底；在该基底上形成双岸阱限定结构，该双岸阱限定结构包含绝缘材料的第一层和位于其上的绝缘材料的第二层；并将有机材料的溶液沉积在该双岸阱限定结构所限定的阱中，其中该双岸阱限定结构通过在用于形成阱的单一处理步骤中从第一层和第二层去除材料而形成，并且其中该第一层和第二层由对于该单一处理步骤具有不同的去除速度的材料制成，从而由于第一层和第二层的材料的去除速度的差别而围绕着阱的周边形成台阶结构。 | ||
| 地址 | 英国剑桥 | ||