| 发明名称 | 溅射靶、透明导电膜及透明电极 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于通过溅射法成膜透明导电膜的溅射靶，该透明导电膜可以适用于以液晶显示器为代表的显示器和触摸屏、太阳能电池等各种用途。即使削减铟含量，该溅射靶也具有优良的导电性、蚀刻性、耐热性等。本发明的溅射靶，其特征在于，含有铟、锡、锌、氧，包含六方晶层状化合物、尖晶石结构化合物及红绿柱石结构化合物，特别是用In/(In+Sn+Zn)表示的原子比在0.33～0.6的范围内，用Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比在0.05～0.15的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN101268211B | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200680034283.5 | 申请日期 | 2006.09.14 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 矢野公规;井上一吉;田中信夫 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种溅射靶，其特征在于，含有铟、锡、锌、氧，包含六方晶层状化合物、尖晶石结构化合物及红绿柱石结构化合物，所述六方晶层状化合物用In2O3(ZnO)3表示，所述尖晶石结构化合物用Zn2SnO4表示，所述红绿柱石结构化合物用In2O3表示。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||