| 发明名称 | 超富含硅氧化硅非易失性存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种超富含硅氧化硅非易失性存储单元及其制造方法，包括位于衬底上的栅极导电层、位于栅极导电层两侧之衬底中的源极/漏极区、位于栅极导电层与衬底之间的隧穿氧化层、位于栅极导电层与隧穿氧化层之间做为电荷捕捉层的超富含硅氧化硅层以及位于栅极导电层与超富含硅氧化硅层之间的上介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101335306B | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200710112685.9 | 申请日期 | 2007.06.27 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 卢棨彬;罗兴安 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/792(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 一种超富含硅氧化硅非易失性存储单元，其特征在于，包括：一栅极导电层，其位于一衬底上方；一源极/漏极区，其位于所述栅极导电层两侧的所述衬底中；一隧穿氧化层，其位于所述栅极导电层与所述衬底之间；一超富含硅氧化硅层，其做为一电荷捕捉层，位于所述栅极导电层与所述隧穿氧化层之间，所述超富含硅氧化层的折射率在248微米波长时为1.7至2.0之间；以及一上介电层，其位于所述栅极导电层与所述超富含硅氧化硅层之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||