| 发明名称 | 基板处理方法和装置、半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基板处理方法和装置、半导体装置的制造方法和存储介质，基板处理装置(100)包括：保持被处理基板(W)并且对该被处理基板(W)进行加热的保持台(103)；在内部配备所述保持台(103)的处理容器(101)；和向所述处理容器(101)内供给处理气体的气体供给部(102)，其特征在于：所述处理气体含有有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐。 | ||
| 申请公布号 | CN101410953B | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200780010944.5 | 申请日期 | 2007.03.13 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 三好秀典 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种基板处理方法，该基板处理方法是形成有绝缘膜和金属层的被处理基板的基板处理方法，其特征在于，包括：向所述被处理基板上供给有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐并且与此同时对所述被处理基板进行加热的处理工序，在所述处理工序中，进行所述绝缘膜的脱水处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||