| 发明名称 | 多层半导体晶片的处理 | ||
| 摘要 | 一种用来加工带图案硅片或在带图案硅片形成特征的方法和装置，其特征在于包括：利用具有1-1000ps脉冲宽度的第一脉冲激光器(4)光束去除晶片表面层的一部分；以及利用具有200-1100nm波长的第二脉冲激光器(5)光束去除晶片表面层下面的体硅(1)的一部分。再沉积的硅可通过腐蚀处理从晶片上去除。 | ||
| 申请公布号 | CN102017126A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200980116042.9 | 申请日期 | 2009.03.16 |
| 申请人 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 | 发明人 | 阿列克塞杰·罗丁;阿德里恩·博伊尔;尼尔·布伦南;约瑟夫·卡拉甘 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;B23K26/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈晓帆;沙捷 |
| 主权项 | 一种用来加工带图案硅片或在带图案硅片上形成特征的方法，包括：a.利用具有1‑1000ps脉冲宽度的第一脉冲激光束去除部分晶片表面层；以及b.利用具有200‑1100nm波长的第二脉冲激光束从晶片上去除表面层下面的部分体硅。 | ||
| 地址 | 美国俄勒冈州 | ||