发明名称 |
α-三氧化二铝单晶体的生产方法 |
摘要 |
本发明属于人造蓝宝石晶体的制备方法技术领域,特别涉及α-三氧化二铝单晶体的生产方法。本发明α-三氧化二铝单晶体的生产方法,制得的单晶体直径大,具体包括加原料、插晶种、烧结晶体步骤,烧结晶体分为化料结晶、对中心、晶体扩大和等径生长;所述原料为δ-Al2O3或γ-Al2O3,插晶种所用晶种为M轴90°晶向或A轴75°晶向,烧结晶体时氢氧火焰比例为3.7~4.2∶1,火焰温度为2085~2090℃。本发明得到的单晶体外圆直径:φ42mm~φ45mm,总长度L=80mm~95mm,可用于微波介质材料、波导激光器、高精密度轴承元器件、大规模集成电子线路板等工业领域。 |
申请公布号 |
CN102011184A |
申请公布日期 |
2011.04.13 |
申请号 |
CN201010612217.X |
申请日期 |
2010.12.29 |
申请人 |
四川鑫通新材料有限责任公司 |
发明人 |
钱幼平;代成;唐大林 |
分类号 |
C30B29/20(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/20(2006.01)I |
代理机构 |
成都虹桥专利事务所 51124 |
代理人 |
罗丽;武森涛 |
主权项 |
α‑三氧化二铝单晶体的生产方法,包括加原料、插晶种、烧结晶体步骤,烧结晶体分为化料结晶、对中心、晶体扩大和等径生长;所述原料为δ‑Al2O3或γ‑Al2O3,插晶种所用晶种为M轴90°晶向或A轴75°晶向,其特征在于:烧结晶体时氢氧火焰比例为3.7~4.2∶1,火焰温度为2085~2090℃。 |
地址 |
623002 四川省阿坝藏族羌族自治州汶川县水磨镇茅坪子村四川鑫通新材料有限责任公司 |