发明名称 硅片清洗剂的制备方法
摘要 本发明涉及一种硅片清洗剂的制备方法,其特征是,具体步骤(体积比%),将渗透剂、非离子表面活性剂按需配置清洗剂的体积百分比0.1-5%、部分18MΩ的去离子水用负压吸入反应器内并呈涡流状态;胺碱按需配置清洗剂的质量百分比0.5-10%,用去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内;将螯合剂0.1-5%用去离子水稀释后逐渐加入反应器内;加入缓蚀剂0.1-5%用去离子水稀释后逐渐加入反应器内;在涡流状态下反应器内加入剩余量的去离子水。有益效果:只需进行一次清洗即可达到清洗要求,提高了生产效率。采用负压搅拌的方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入。
申请公布号 CN102010793A 申请公布日期 2011.04.13
申请号 CN201010231678.2 申请日期 2010.07.21
申请人 天津晶岭微电子材料有限公司 发明人 刘玉岭;高宝红;檀柏梅;周强
分类号 C11D1/66(2006.01)I;C11D3/30(2006.01)I;C11D3/28(2006.01)I;C11D11/00(2006.01)I 主分类号 C11D1/66(2006.01)I
代理机构 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 代理人 杨红
主权项 一种硅片清洗剂的制备方法,其特征在于,具体步骤(体积比%)(1)首先将渗透剂、非离子表面活性剂按需配置清洗剂的质量百分比0.1‑5%,以及部分18MΩ的去离子水用负压吸入反应器内并呈涡流状态;(2)胺碱按需配置清洗剂的质量百分比0.5‑10%,用18MΩ的去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内;(3)将螯合剂0.1‑5%用18MΩ去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内;(4)加入缓蚀剂0.1‑5%用18MΩ去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内;(5)在涡流状态下反应器内加入余量的去离子水。
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