发明名称 |
硅片清洗剂的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种硅片清洗剂的制备方法,其特征是,具体步骤(体积比%),将渗透剂、非离子表面活性剂按需配置清洗剂的体积百分比0.1-5%、部分18MΩ的去离子水用负压吸入反应器内并呈涡流状态;胺碱按需配置清洗剂的质量百分比0.5-10%,用去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内;将螯合剂0.1-5%用去离子水稀释后逐渐加入反应器内;加入缓蚀剂0.1-5%用去离子水稀释后逐渐加入反应器内;在涡流状态下反应器内加入剩余量的去离子水。有益效果:只需进行一次清洗即可达到清洗要求,提高了生产效率。采用负压搅拌的方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入。 |
申请公布号 |
CN102010793A |
申请公布日期 |
2011.04.13 |
申请号 |
CN201010231678.2 |
申请日期 |
2010.07.21 |
申请人 |
天津晶岭微电子材料有限公司 |
发明人 |
刘玉岭;高宝红;檀柏梅;周强 |
分类号 |
C11D1/66(2006.01)I;C11D3/30(2006.01)I;C11D3/28(2006.01)I;C11D11/00(2006.01)I |
主分类号 |
C11D1/66(2006.01)I |
代理机构 |
天津市三利专利商标代理有限公司 12107 |
代理人 |
杨红 |
主权项 |
一种硅片清洗剂的制备方法,其特征在于,具体步骤(体积比%)(1)首先将渗透剂、非离子表面活性剂按需配置清洗剂的质量百分比0.1‑5%,以及部分18MΩ的去离子水用负压吸入反应器内并呈涡流状态;(2)胺碱按需配置清洗剂的质量百分比0.5‑10%,用18MΩ的去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内;(3)将螯合剂0.1‑5%用18MΩ去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内;(4)加入缓蚀剂0.1‑5%用18MΩ去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内;(5)在涡流状态下反应器内加入余量的去离子水。 |
地址 |
300130 天津市红桥区光荣道8号 |