| 发明名称 | 在经脉冲激光照射而掺杂的材料上构造平坦表面 | ||
| 摘要 | 公开了一种用于处理衬底(例如半导体衬底)的方法和装置，包括在衬底表面部分暴露于掺杂剂中时采用多个短辐射脉冲照射该衬底表面的至少一部分。将脉冲选定为在衬底表面处具有大于熔化注量阈值(为了引起衬底熔化所需的辐射脉冲的最低注量)且小于烧蚀注量阈值(为了引起衬底烧蚀所需的辐射脉冲的最低注量)的注量。一定量的掺杂物可以以该方式加入到衬底中，同时保证衬底表面的粗糙度远小于所施加辐射脉冲的波长。 | ||
| 申请公布号 | CN102017088A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200980103740.5 | 申请日期 | 2009.02.02 |
| 申请人 | 哈佛大学校长及研究员协会 | 发明人 | E·玛祖;M·温克勒 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种处理衬底的方法，包括：当衬底的表面部分暴露于掺杂材料时，采用多个短辐射脉冲照射该衬底表面的至少一部分，所述脉冲在该衬底表面处具有大于熔化注量阈值且小于烧蚀注量阈值的注量。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||