| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个方面的半导体器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述半导体层接触的源极和漏极，该源极和漏极的每个包括多个指，并且上述源极的多个指与上述漏极的多个指相互交叉；以及在上述隔离层上的栅极，该栅极位于上述源极和漏极之间并包括围绕上述源极和漏极的上述多个指的闭环结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102013437A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200910172874.4 | 申请日期 | 2009.09.07 |
| 申请人 | 西安捷威半导体有限公司 | 发明人 | 张乃千 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/085(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;刘瑞东 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述半导体层接触的源极和漏极，该源极和漏极的每个包括多个指，并且上述源极的多个指与上述漏极的多个指相互交叉；以及在上述隔离层上的栅极，该栅极位于上述源极和漏极之间并包括围绕上述源极和漏极的上述多个指的闭环结构。 | ||
| 地址 | 710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N717 | ||