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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING INDIUM GALLIUM ALUMINIUM NITRIDE THIN FILM ON SILICON SUBSTRATE
摘要
申请公布号 EP1930957(B1) 申请公布日期 2011.04.13
申请号 EP20060791169 申请日期 2006.09.29
申请人 LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION 发明人 JIANG, FENGYI;WANG, LI;FANG, WENQING
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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