成膜装置及其使用方法

摘要

本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包含利用清洗气体对成膜装置的反应室的内表面附着的以高介电常数材料为主要成分的副生成物膜进行处理的工序。在此，向反应室内供给清洗气体，并将反应室内设定为第一温度和第一压力。清洗气体不含氟而含有氯。第一温度和第一压力设定为使得清洗气体中的氯活化。

主权项

一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其特征在于，具有：利用清洗气体对所述成膜装置的反应室的内表面附着的以高介电常数材料为主要成分的副生成物膜进行处理的工序；在此，向所述反应室内供给所述清洗气体，并将所述反应室内设定为第一温度和第一压力；所述清洗气体不含氟而含有氯，所述第一温度和所述第一压力设定为使得所述清洗气体中的氯活化，所述第一温度在800～1000℃的范围内，所述高介电常数材料是金属硅酸盐，对所述副生成物膜进行处理的工序是在残留所述副生成物膜的硅酸盐成分的状态下除去金属成分的工序。