| 发明名称 | 低压淀积氧化硅工艺方法 | ||
| 摘要 | 一种低压淀积氧化硅工艺方法，所述方法包括：固定晶圆，并置入反应腔；向反应腔输送反应气体；调节反应腔加热装置上控温区的上温度点和下控温区的下温度点，所述上温度点和下温度点的调节方式为将上温度点和下温度点同步上调或降低相同的温度；氧化硅膜的分步淀积，所述分步淀积是在反应腔的上温度点下降到下温度点的过程中执行；重复执行分步淀积，完成氧化硅膜淀积。本发明通过调节反应腔的上控温区的上温度点和同步调节下控温区的下温度点，并在上温度点下降到下温度点的过程中，进行氧化硅膜分步淀积，不仅能极大的改善氧化硅膜淀积的均匀度，提高产品品质，而且该工艺方法操作简单，又能满足芯片制造商对不同膜厚的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN102011105A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN201010504697.8 | 申请日期 | 2010.10.12 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王硕;许忠义 |
| 分类号 | C23C16/46(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种低压淀积氧化硅工艺方法，其特征在于：所述方法包括：固定晶圆，并置入反应腔；向反应腔输送反应气体；调节反应腔加热装置上控温区的上温度点和下控温区的下温度点，所述上温度点和下温度点的调节方式为将上温度点和下温度点同步上调或降低相同的温度；氧化硅膜的分步淀积，所述分步淀积是在反应腔的上温度点下降到下温度点的过程中执行；重复执行分步淀积，完成氧化硅膜淀积。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||