| 发明名称 | 氧化钇烧结体和等离子体处理装置用构件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高强度、低介电损耗的氧化钇烧结体。一种在1～20GHz的频率下的介电损耗tanδ为1×10-4以下的氧化钇烧结体，其特征在于，其含有99.9质量％以上的氧化钇，孔隙率为1％以下，平均晶粒直径为3μm以下，并且由下述(1)式算出的累积频率比为3以下。累积频率比＝D90/D50…(1)，其中，上述(1)式中的各符号的意义如下所述。D90：以晶粒的个数基准计的粒度分布从小粒径侧累计达到90％的晶粒直径(μm)；D50：以晶粒的个数基准计的粒度分布从小粒径侧累计达到50％的晶粒直径(μm)。 | ||
| 申请公布号 | CN102015577A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200880128869.7 | 申请日期 | 2008.10.08 |
| 申请人 | 飞罗得陶瓷股份有限公司 | 发明人 | 冈本研;荒堀忠久 |
| 分类号 | C04B35/50(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种氧化钇烧结体，其特征在于，其平均晶粒直径为3μm以下，孔隙率为1％以下，并且弯曲强度为180MPa以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||