发明名称 载有功能基团的GaN纳米线阵列及其制法和用途
摘要 一种载有功能基团的GaN纳米线阵列,它是以直立的GaN纳米线阵列作为基片,纳米线表面经化学氧化或等离子氧化产生Ga-OH官能团;或者经原子层沉积法在纳米线表面沉积SiO2、TiO2或Al2O3膜,其表面经水解具有-OH官能团,-OH官能团与一端带有N-羟基琥珀酰亚胺酯基团,另一端为二羧酰氯的三噻吩反应得到的载有功能基团的GaN纳米线阵列。它可以应用于生物分子分离和实时检测、生物分子的基质辅助激光解离飞行时间质谱检测、生物分子FET的两电极系统检测和生物分子FET的三电极系统检测。本发明公开了其制法。
申请公布号 CN102011192A 申请公布日期 2011.04.13
申请号 CN201010290154.0 申请日期 2010.09.21
申请人 南京航空航天大学 发明人 陈亚清;郭东杰
分类号 C30B29/40(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;G01N27/64(2006.01)I;G01N27/327(2006.01)I;G01N21/35(2006.01)I;B82Y15/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C30B29/40(2006.01)I
代理机构 南京知识律师事务所 32207 代理人 黄嘉栋
主权项 一种载有功能基团的GaN纳米线阵列,其特征是:它是以直立的GaN纳米线阵列作为基片,纳米线表面经化学氧化或等离子氧化产生Ga‑OH官能团;或者经原子层沉积法在纳米线表面沉积SiO2、TiO2或Al2O3膜,其表面经水解具有‑OH官能团,‑OH官能团与一端带有N‑羟基琥珀酰亚胺酯基团,另一端为二羧酰氯的三噻吩反应得到的载有功能基团的GaN纳米线阵列。
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