| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上方形成第一绝缘膜；通过将杂质离子注入所述第一绝缘膜的预定深度，在所述第一绝缘膜中形成杂质层；以及在形成所述杂质层后，通过对所述第一绝缘膜进行退火，将所述杂质层改造为阻挡绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101252086B | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200810080861.X | 申请日期 | 2008.02.22 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 菊池秀明;永井孝一;菊池友幸 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/3115(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺;冯志云 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤； 在半导体衬底上方形成绝缘膜； 通过将杂质离子注入所述绝缘膜的预定深度，在所述绝缘膜中形成杂质层；以及 在形成所述杂质层后，通过对所述绝缘膜进行退火，将所述杂质层改造为阻挡绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横浜市 | ||