发明名称 一种高阻值金属氧化膜电阻及其制作方法
摘要 本发明涉及电子元件以及半导体技术领域,特指一种高阻值金属氧化膜电阻及其制作方法,所述高阻值金属氧化膜电阻包括一陶瓷基体、形成在所述陶瓷基体上的皮膜、位于陶瓷基体两端的铁帽以及引线,所述皮膜包括内层皮膜和外层皮膜,其中内层皮膜由靶材通过真空直流溅射形成,外层皮膜由靶材通过离子电源加射频溅射形成。本发明可制得独特的双层膜结构电阻体,外层皮膜实际上是一层致密的金属氧化膜,对内层皮膜起到很好的保护作用,避免其被进一步氧化;同时内层皮膜与外层皮膜之间形成并联关系,能使电阻器的阻值获得更大的可调节范围;因此,本发明制成的金属氧化膜电阻器性能稳定,精密度高,阻值可超过100KΩ,高达3.9兆欧。
申请公布号 CN102013294A 申请公布日期 2011.04.13
申请号 CN201010280534.6 申请日期 2010.09.10
申请人 东莞市福德电子有限公司 发明人 李稳根;温启源;何刚
分类号 H01C7/18(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I;H01C17/12(2006.01)I 主分类号 H01C7/18(2006.01)I
代理机构 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人 罗晓聪
主权项 一种高阻值金属氧化膜电阻,包括一陶瓷基体(1)、形成在所述陶瓷基体(1)上的皮膜(2)、位于陶瓷基体(1)两端的铁帽(3)以及引线(4),其特征在于:所述皮膜(2)包括内层皮膜(21)和外层皮膜(22),其中内层皮膜(21)由靶材通过真空直流溅射形成,外层皮膜(22)由靶材通过离子电源加射频溅射形成。
地址 523000 广东省东莞市虎门镇白沙三村工业区