| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 实施例提供一种半导体发光器件，其包括：第一导电半导体层；第一导电半导体层下的有源层；有源层下的第二导电半导体层；第二导电半导体层下的第二电极层；第二电极层的一侧上的绝缘体；以及绝缘体上的被电连接到第一导电半导体层的一端的第一电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102017195A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200980113897.6 | 申请日期 | 2009.04.16 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 李尚烈 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 夏凯;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层下的有源层；在所述有源层下的第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层下的第二电极层；在所述第二电极层的一侧上的绝缘体；以及在所述绝缘体上的被电连接到所述第一导电半导体层的一端的第一电极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||