| 发明名称 | Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>As衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法、以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的特性的半导体器件。具体地，本发明涉及AlxGa(1-x)As衬底(10a)，其特征在于，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)具有AlxGa(1-x)As层(11)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中在所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可以包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102016136A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200980115891.2 | 申请日期 | 2009.05.27 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 田中聪;宫原贤一;北林弘之;片山浩二;森下知典;森分达也 |
| 分类号 | C30B29/42(2006.01)I;C30B19/12(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 一种具有AlxGa(1‑x)As层(0≤x≤1)的AlxGa(1‑x)As衬底，所述AlxGa(1‑x)As层具有主面和在所述主面相反侧的背面；所述AlxGa(1‑x)As衬底的特征在于，在所述AlxGa(1‑x)As层中，所述背面中Al的组成比x大于所述主面中Al的组成比x。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||