发明名称 一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法
摘要 本发明属于微电子技术领域,涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征,构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜,每一阶台阶对应一种厚度,可以在单层反铁电薄膜上实现铁电区域和反铁电区域的交叉排列。由于反铁电薄膜和铁电薄膜堆叠后,薄膜的热释电系数相比单纯的反铁电薄膜会得到很大的提高,因此利用本方法制备的反铁电薄膜可以作为良好的热释电材料,用于红外热释电探测器,机敏器件和系统,且制备方法简单易操作,具有很大的成本优势。
申请公布号 CN102013453A 申请公布日期 2011.04.13
申请号 CN200910195208.2 申请日期 2009.09.04
申请人 复旦大学 发明人 万海军;翁旭东;陈志辉;沈臻魁;江安全
分类号 H01L35/34(2006.01)I;H01L35/12(2006.01)I 主分类号 H01L35/34(2006.01)I
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人 包兆宜
主权项 一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法,其特征在于,通过构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的铁电区域和反铁电区域交叉排列的台阶状反铁电薄膜,改善反铁电薄膜的热释电性能,其包括下述步骤:(1)利用溶胶‑凝胶的方法在基片上旋涂一层反铁电薄膜;(2)利用纳米压印技术将上述反铁电薄膜压成凹凸有致具有多种不同厚度的铁电区域和反铁电区域交叉排列的台阶状结构。
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