半导体器件

摘要

本发明披露了一种半导体器件。本发明实施例涉及一种包括有源区的半导体器件，该有源区包括源区、漏区和沟道区。在有源区的周围形成栅电极、源电极和漏电极。多个栅指从栅电极分叉至沟道区中。多个源指从源电极分叉至源区中，源指以预定的图样布置于栅指之间，并具有至少两根通过至少一根栅格线相互连接的指线。多个漏指从漏电极分叉至漏区中，这些漏指布置于其中没有布置源指的栅指之间。

主权项

一种半导体器件，包括：有源区，包括源区、漏区和沟道区；栅电极、源电极和漏电极，形成在所述有源区的周围；多个栅指，从所述栅电极分叉至所述沟道区中；多个源指，从所述源电极分叉至所述源区中，所述源指以预定的图样布置于所述栅指之间，所述源指具有至少两根通过至少一根栅格线相互连接的指线；以及多个漏指，从所述漏电极分叉至所述漏区中，所述漏指布置于其中没有布置所述源指的所述栅指之间，其中，所述至少一根栅格线包括第一栅格线和第二栅格线，所述第一栅格线包括至少一根栅格线，所述第二栅格线包括至少一根栅格线，所述源指具有至少两根通过所述第一栅格线相互连接的指线，所述第二栅格线形成在与其中形成所述源指和所述漏指的半导体层不同的半导体层上以便所述第二栅格线不电连接至所述源指和所述漏指。