| 发明名称 | 具有补强结构的管芯衬底 | ||
| 摘要 | 本发明揭露不同的具有补强的半导体芯片封装及其制造方法。在一方面，本发明提供的制造方法包含提供封装衬底，所述封装衬底具有第一侧以及和所述第一侧对立的第二侧。所述第一侧具有中心区域，用以接收半导体芯片。在所述中心区域外部的封装衬底的所述第一侧上，形成焊料补强结构，以抵抗所述封装衬底的弯曲。 | ||
| 申请公布号 | CN102017131A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200980114217.2 | 申请日期 | 2009.03.19 |
| 申请人 | ATI技术无限责任公司 | 发明人 | R·托帕奇勒;A·兹布泽宗 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L23/16(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种制造方法，包括：提供封装衬底，所述封装衬底具有第一侧与第二侧，所述第二侧与所述第一侧对立，所述第一侧具有用于接收半导体芯片的中心区域；以及在所述中心区域外部的所述封装衬底的所述第一侧上，形成焊料补强结构，用于抵抗所述封装衬底的弯曲。 | ||
| 地址 | 加拿大安大略省 | ||