微电子装置及其微机电共振器的制造方法

摘要

本发明是有关于一种微电子装置及其微机电共振器的制造方法。该微机电共振器的制造方法，其是先形成具有待悬浮部的层叠主体，其包括硅基底、多层金属层及隔离层，并具有自金属层延伸至硅基底内的第一蚀刻通道，而隔离层填于第一蚀刻通道内。接着移除部分隔离层，以形成第二蚀刻通道，且隔离层剩余的部分覆盖住第一蚀刻通道的侧壁。然后，以覆盖于第一蚀刻通道的侧壁的隔离层为掩模，通过第二蚀刻通道等向性蚀刻硅基底，而形成悬在硅基底上的微机电共振器。上述微机电共振器的制造方法可与CMOS电路的制造工艺相整合，因此可简化微电子装置的制造工艺，进而降低其生产成本。另，本发明还提供一种微电子装置。

主权项

一种微机电共振器的制造方法，其特征在于其包括下列步骤：形成一层叠主体，其包括一硅基底、多层金属层以及至少一隔离层，其中该些金属层形成于该硅基底上方，且该层叠主体具有自该些金属层延伸至该硅基底内的至少一第一蚀刻通道，该隔离层是填于该第一蚀刻通道内，该层叠主体具有一待悬浮部；移除部分该隔离层，以形成一第二蚀刻通道而暴露出该硅基底，且该隔离层剩余的部分至少部分覆盖住该第一蚀刻通道的侧壁；以及以覆盖于该第一蚀刻通道的侧壁的该隔离层为掩模，通过该第二蚀刻通道等向性蚀刻该硅基底，以移除该待悬浮部下方的部分该硅基底，而在该硅基底内形成一蚀空区。