发明名称 硅太阳能电池片的背电场结构
摘要 本实用新型涉及一种硅太阳能电池片的背电场结构,该背电场的四个边角为圆弧连接,通过本设计显著降低了烧结过程中产生的应力,减少甚至消除了脱落。实践证明:运用这个设计后背场印刷质量得到有效提高,背场小边角脱落比例大大降低,由0.76%降低至0.08%。
申请公布号 CN201796898U 申请公布日期 2011.04.13
申请号 CN201020548044.5 申请日期 2010.09.29
申请人 常州天合光能有限公司 发明人 程亮
分类号 H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 常州市维益专利事务所 32211 代理人 王凌霄
主权项 一种硅太阳能电池片的背电场结构,其特征是:所述的背电场(2)的四个边角为圆弧连接。
地址 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号