| 发明名称 | 光电导器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构，包含：GaAs或InP衬底；生长于衬底上的InxGa1-xAs外延层，其中x大于约0.01且小于约0.53；以及在InxGa1-xAs外延层上生长的作为罩层的更宽能带隙的外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN101313412B | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200580041877.4 | 申请日期 | 2005.12.07 |
| 申请人 | 派克米瑞斯有限责任公司 | 发明人 | 罗伯特·N·萨克斯;马修·M·加兹维耶基;斯蒂文·L·威廉姆森 |
| 分类号 | H01L31/09(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：GaAs或InP衬底；生长在所述衬底上的In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As外延层，其中x大于0.01且小于0.53；和在所述In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As外延层顶部生长的作为罩层的更宽能带隙的外延层，在所述In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As层生长期间，所述衬底的温度在125～225℃范围的温度下，以使生长工艺非化学定量化以及富砷化；并且所述更宽能带隙的外延罩层的厚度范围为50～<img file="FFW00000044244000011.GIF" wi="190" he="58" />其中，In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As外延层是非化学定量化的以及富砷化的，其中，罩层足够薄以不阻碍光生电荷的传输，但在没有强电场的情况下，罩层成为电荷传输的障碍。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||