| 发明名称 | 用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法在装载有基材的腔室中供给源气体，从而在基材上沉积多晶硅薄膜，其中所述源气体包含硅基气体、氮基气体和磷基气体。所述源气体中的氮基气体与硅基气体的混合比可为0.03以下(但不包含0)。所述薄膜中的氮可为11.3原子％以下(但不包含0)。 | ||
| 申请公布号 | CN102016115A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200980115914.X | 申请日期 | 2009.04.29 |
| 申请人 | 株式会社EUGENE科技 | 发明人 | 金海元;禹相浩;赵星吉;朴松焕;郑敬洙 |
| 分类号 | C23C16/24(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法包括；通过在装载有基材的腔室中供给源气体来在所述基材上沉积多晶硅薄膜，其中，所述源气体包含硅基气体、氮基气体和磷基气体。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||