发明名称 |
一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器 |
摘要 |
本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构,由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成,由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q值特性,相互耦合后光束Q值特性进一步提高,器件只需在前腔面镀腔面膜,后腔面不需要镀膜或只需镀层增透膜。该结构器件结构、制备工艺简单,成本低,能提高激光器的Q值,提高了器件效率,大幅改善器件输出光束质量。该技术方案适用于各种波长的、集成的环形半导体激光器。 |
申请公布号 |
CN102013629A |
申请公布日期 |
2011.04.13 |
申请号 |
CN201010537331.0 |
申请日期 |
2010.11.10 |
申请人 |
长春理工大学 |
发明人 |
张斯钰;乔忠良;薄报学;高欣;曲轶;李辉;王玉霞;李占国;芦鹏;王勇;李特;李再金;邹永刚;李林;刘国军 |
分类号 |
H01S5/026(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/026(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器,包括衬底11、下限制层12、下波导层13、有源区14、上波导层15、上限制层16、环区1、环区2、环区3、直条区9,其特征在于,有源区14离p面表面的深度为1.4‑2.8微米,环区1、2、3、直条区9的宽度为4‑15微米,各环区宽度可以不相等,各环内半径为150‑300微米,各脊形环高为0.9‑3.2微米,8的宽度为2‑4微米,环区3通过两个四分之一圆环耦合到同一腔面端,在p面形成p面电极,经减薄、抛光后,在n面形成n面电极,合金、解理后,在出光腔面镀0.1‑25%反射率的腔面膜增透膜,非输出端腔面不镀膜或镀反射率小于15%的增透膜。 |
地址 |
130022 吉林省长春市卫星路7186号 |