转印有硅薄膜的绝缘性晶片的制造方法

摘要

本发明提供了一种SOI晶片的制造方法，上述方法可防止由绝缘性基板和SOI层的热膨胀系数的差异引起的热应力、剥离、裂缝等问题的产生，同时改善SOI层的膜厚均一性。上述SOI晶片的制造方法包含以下工序：对绝缘性晶片的表面及具有氢离子注入层的单晶硅晶片的氢离子注入面中的至少一个表面施以表面活化处理的工序；将氢离子注入面与绝缘性晶片的表面贴合以获得贴合晶片的工序；将贴合晶片在第1温度进行热处理的工序；为了降低贴合晶片中单晶硅晶片的厚度，对贴合晶片中单晶硅晶片侧施以研削和/或蚀刻的工序；将贴合晶片在高于第1温度的第2温度下进行热处理的工序；通过对贴合晶片中的氢离子注入层施以机械性冲击，将氢离子注入层进行剥离的工序。

主权项

一种转印有硅薄膜的绝缘性晶片的制造方法，所述方法包含以下工序：对绝缘性晶片的表面及预先注入氢离子以形成氢离子注入层的单晶硅晶片的氢离子注入面中的至少一个表面施以表面活化处理的工序；将上述氢离子注入面与上述绝缘性晶片的表面贴合以获得贴合晶片的贴合工序；将上述贴合晶片在第1温度下进行热处理的第1热处理工序；为了降低经上述热处理的贴合晶片的单晶硅晶片的厚度，对贴合晶片的单晶硅晶片侧施以研削和/或蚀刻的工序；将上述施以研削和/或蚀刻的贴合晶片在高于上述第1温度的第2温度下进行热处理的第2热处理工序；通过对经上述第2温度热处理的贴合晶片的上述氢离子注入层施以机械性冲击，将氢离子注入层进行剥离的剥离工序。