使用基于低等级原料材料的晶体硅的太阳能电池及制造方法

摘要

本发明披露了由升级的冶金级硅形成太阳能电池器件，其已接受至少一种缺陷设计工艺，并包括低接触电阻电路径。抗反射涂层形成于发射极层上而背接触形成于本体硅衬底的背面上。该光伏器件可以在可避免先前缺陷设计工艺逆转的足够低的温度下烧制形成背面电场。该工艺进一步在抗反射涂层中形成开口并在该涂层中的开口上形成低接触电阻金属层，如镍层。该工艺可以对低接触电阻金属层退火而形成n-掺杂部分并完成n-掺杂层的电传导路径。这种低温金属化(例如，＜700℃)支持使用UMG硅用于太阳能器件形成而不存在逆转早期缺陷设计工艺的风险。

主权项

一种用于形成包括低电阻金属化层的太阳能电池的方法，所述太阳能电池包括升级冶金级硅，所述方法包括以下步骤：形成包括升级冶金级硅的本体硅衬底，所述升级冶金级硅已接受至少一种缺陷设计工艺；采用磷基发射极形成工艺在所述本体硅衬底上形成发射极层；除去大部分由所述发射极层形成步骤产生的任何磷玻璃；在所述发射极层上形成抗反射涂层；在所述本体硅衬底的背面上形成背接触区域以产生光伏器件；在避免所述至少一种缺陷设计工艺逆转的足够低的温度下烧制所述光伏器件而形成背面电场；分离所述光伏器件的边缘而降低所述光伏器件的边缘分流；在所述抗反射涂层中形成至少一个开口而至少部分暴露所述发射极层的n‑掺杂部分；用低接触电阻金属层对所述至少一个开口涂层；以及在所述低接触电阻金属层上电镀多个金属接触，由此形成将所述光伏电池器件转换成含升级冶金级硅的太阳能电池的低电阻接触路径。