用于降低的掩模偏置的分开的虚拟填充形状的方法和系统

摘要

一种使用交替相移掩模，或者其它采用修整掩模的双掩模光刻工艺，用于降低的掩模偏置的分开的虚拟填充形状的方法和系统。所述方法和系统包括，在已完成的半导体设计中对不含所设计的形状的区域定位。所述方法和系统在所述区域中以预定的最终密度生成虚拟填充形状，调整所生成的虚拟填充形状的尺寸，以使得其局部密度被增大到预定值。所述方法和系统还建立相应的修整形状，用于对所述虚拟形状的超尺寸部分进行曝光，从而有效地修整每一个虚拟形状以使其回到所述预定的最终密度。所述方法和系统可以在包含含有计算机可读程序的计算机可用介质的计算机程序产品上实施。

主权项

一种修整虚拟填充形状的方法，包括：在已完成的半导体设计中对不含所设计的功能形状的区域定位；在所述区域中以预定的最终密度生成虚拟填充形状；调整所生成的虚拟填充形状的尺寸，使得虚拟填充形状的局部密度被增大到预定值；以及对所述虚拟填充形状建立相应的修整形状，该修整形状用于对所述虚拟填充形状的超尺寸部分进行曝光，从而有效地修整每一个虚拟填充形状以使其回到所述预定的最终密度。